[26] 坂根 駿也、三浦 達樹 、鮎川 瞭仁、鵜殿 治彦、田中 秀樹、「欠陥制御したCu2Seナノワイヤ/グラフェン複合薄膜の熱電物性評価」『第20回 日本熱電学会学術講演会』、S4B2、北九州国際会議場、福岡、2023年9月25-27日.
[25] 坂根 駿也、宗像一紀、森川雄介、鵜殿治彦、田中秀樹、「Cu2Seナノワイヤの熱電物性におけるキャリア輸送特性のCu空孔依存性」『第84回応用物理学会秋季学術講演会』、22a-B203-5、熊本城ホール、熊本、2023年9月19-23日.
[24] 坂根 駿也、三浦 達樹、宗像 一紀、森川 雄介、三輪 俊一朗、奥村 和、田中 秀樹、「光還元法によるセレン化銅ナノワイヤの創製と熱電応用への展開」『ナノ学会第21回大会』、1O10、函館市民会館、北海道、2023年5月11日.
[23] 坂根 駿也、安治 敏輝、山岸 樹、小原 一世、田中 秀樹、「銅ナノ粒子のプラズモン加熱を利用した熱応答性の発現」『第16回分子科学討論会2022』、4C02、慶應義塾大学 矢上キャンパス、神奈川、2022年9月22日.
[22] 坂根 駿也、三輪 俊一朗、石部 貴史、中村 芳明、田中 秀樹、「PEDOT:PSSに導入したCu2Seナノワイヤの熱電出力因子に与える影響」『第 19回日本熱電学会学術講演会 (TSJ2022)』、S6A5、アオーレ長岡/ 長岡グランドホテル、新潟、2022年8月9日.
[21] 坂根 駿也、安治 敏輝、田中 秀樹、「銅ナノ粒子を導入したプラズモン誘起熱応答材料の創製」『ナノ学会第20回大会』、O-13、オンライン、2022年5月21日.
[20] 坂根 駿也、安治 敏輝、田中 秀樹、「銅ナノ粒子/pNIPAM複合体における局在表面プラズモン共鳴を利用した熱応答性の発現」『第102回日本化学会年会』、A202-4pm-06、オンライン、2022年3月24日.
[19] 坂根 駿也、石部 貴史、藤田 武志、大江 純一郎、小林 英一、中村 芳明、「熱流制御と共鳴準位効果を用いた熱電出力因子増大」『第82回応用物理学会秋季学術講演会』、10p-N406-10、オンライン、2021年9月10日.
[18] 坂根 駿也、石部 貴史、藤田 武志、大江 純一郎、小林 英一、中村 芳明、「Au添加がバルクSiGeの熱電特性に与える影響」『第18回 日本熱電学会学術講演会』、S3B5、オンライン、2021年8月23日.
[17] 坂根 駿也、秋元 開、小西 紀進、田中 秀樹、「ゼオライトの細孔内に形成した銅ナノ粒子の触媒活性に与える影響」『第101回日本化学会年会』、A02-4pm-10、オンライン、2021年3月22日.
[16] 坂根 駿也、石部 貴史、成瀬 延康、目良 裕、Md. Mahfuz Alam、澤野 憲太郎、中村 芳明、「ナノ構造化Si薄膜における構造制御による高熱電性能化」『2020年 第67回 応用物理学会春季学術講演会』、13a-D511-6、上智大学 四谷キャンパス、東京、2020年3月12-15日.
[15]坂根 駿也、石部 貴史、成瀬 延康、目良 裕、Md. Mahfuz Alam、澤野 憲太郎、中村 芳明、「欠陥制御によるナノ結晶含有Si薄膜の熱電特性改善」『2019年第80回 応用物理学会秋季学術講演会』、19p-E307-7、北海道大学、北海道、2019年9月18-21日.
[14] 坂根 駿也、石部 貴史、藤田 武志、鎌倉 良成、森 伸也、中村 芳明、「サーマルマネージメントによるSiGe熱電材料の出力因子増大」、『応用物理学会関西支部2019年度第1回講演会』、P-03、関西学院大学 関学会館、大阪、2019年6月20日.
[13]坂根 駿也、石部 貴史、藤田 武志、池内 賢朗、鎌倉 良成、森 伸也、中村 芳明、「SiGeナノ構造バルクにおける熱分布を利用した熱電出力因子の増大」、『2019年第66回 応用物理学会春季学術講演会』、9p-W371-8、東京工業大学、東京、2019年3月9-12日.
[12]坂根 駿也、柏野 真人、渡辺 健太郎、鎌倉 良成、森 伸也、藤田 武志、中村 芳明、「Au添加SiGeバルク熱電材料の構造とその高出力因子」『2018年 第79回 応用物理学会秋季学術講演会』、21a-438-7、名古屋国際会議場、愛知、2018年9月18-21日.
[11] 坂根 駿也、中村 芳明、「Coドープしたエピタキシャルb-FeSi2薄膜/Siの作製とその熱電特性」『第18回シリサイド系半導体・夏の学校』、P-2、静岡県立森林公園森の家、静岡、2018年7月21-22日.
[10]坂根 駿也、渡辺 健太郎、成瀬 延康、目良 裕、Md. Mahfuz Alam、澤野 憲太郎、森 伸也、中村 芳明、「ナノ構造化Si薄膜における出力因子決定機構」『2018年 第65回 応用物理学会春季学術講演会』、17a-F102-10、早稲田大学、東京、2018年3月17-20日.
[9] 坂根 駿也、柏野真人、渡辺健太郎、藤田武志、中村芳明、「急冷鋳造法を用いたAu添加SiGeバルク熱電材料の開発」、『第14回日本熱電学会学術講演会（TSJ2017）』、PS07、大阪大学 豊中キャンパス、大阪、2017年9月11-13日.
[8] 坂根 駿也、渡辺 健太郎、藤田 武志、Md. Mahfuz Alam、澤野 憲太郎、中村 芳明、「ナノドット含有Si薄膜の熱電特性に与える熱処理の影響」『2017年 第78回 応用物理学会秋季学術講演会』、5p-A503-5、福岡国際会議場、福岡、2017年9月5-8日.
[7] 坂根 駿也、渡辺 健太郎、藤田 武志、澤野 憲太郎、中村 芳明、「ナノドット含有Si薄膜における構造と出力因子の関係」『2017年 第64回 応用物理学会春季学術講演会』、15p-E206-8、パシフィコ横浜、神奈川、2017年3月14-17日.
[6] 坂根 駿也、渡辺 健太郎、藤田 武志、澤野 憲太郎、中村 芳明、「エピタキシャルb-FeSi2ナノドット含有Si薄膜の作製とその熱電特性評価」、『応用物理学会関西支部平成２８年度第３回講演会』、P-33、大阪大学中之島センター、大阪、2017年2月24日.
[5] 坂根 駿也、渡辺 健太郎、藤田 武志、澤野 憲太郎、中村 芳明、「鉄シリサイドナノドット構造制御によるSi薄膜の熱電物性向上」、『2016年 第77回 応用物理学会秋季学術講演会』、15p-A35-14、朱鷺メッセ、新潟、2016年9月13-16日.
[4] 坂根 駿也、山阪 司祐人、渡辺 健太郎、中村 芳明、「b-FeSi2ナノドット/Si層積層構造の作製と熱電特性評価」、『日本材料学会 第１回材料WEEK材料シンポジウムワークショップ』、717、京都テルサ、京都、2015年10月13-17日.
[3] 坂根 駿也、山阪 司祐人、渡辺 健太郎、中村 芳明、「b-FeSi2ナノドット/Si層エピタキシャル積層構造の作製とその構造及び熱電特性評価」、『応用物理学会関西支部平成２７年度第２回講演会』、P-02、大阪大学中之島センター、2015年9月30日.
[2] 坂根 駿也、渡辺 健太郎、竹内 正太郎、酒井 朗、中村 芳明、「b-FeSi2ナノドット積層構造における熱電特性の支配要因」、『2015年 第76回 応用物理学会秋季学術講演会』、名古屋国際会議場、愛知、2015年9月13-16日.
[1] 坂根 駿也、山阪 司祐人、渡辺 健太郎、中村 芳明、「b-FeSi2ナノドット積層構造の作製と熱電特性」、『第16回シリサイド系半導体・夏の学校』、九重共同研修所＆九大山の家、2015年7月25-26日.
招待講演
[3] 坂根駿也、鮎川瞭仁、切通望、山本若葉、安原聡、山下雄一郎、鵜殿治彦、「歪み緩和したエピタキシャルMg3Sb2薄膜の熱電特性」、『第85回応用物理学会秋季学術講演会』、講演奨励賞受賞記念講演、朱鷺メッセ、新潟、2024年9月17日.
[2] 坂根駿也、「ナノ材料を駆使した有機熱電材料の高性能化」、『電気学会 基礎・材料・共通部門大会』、愛媛大学、愛媛、2024年9月2日.
[1] 坂根駿也、谷口達彦、渡辺健太郎、中村芳明、「Si基板上への鉄シリサイド薄膜構造形成とその熱電物性」、『第28回シリサイド系半導体と関連物質研究会』、新潟駅前カルチャーセンター、新潟、2016年9月16日.